三星电子周三表示，它公布了大规模生产2 纳米 (nm) 工艺芯片的详细计划，以显示对技术实力的信心，并表明将继续加倍投资其代工或代工芯片制作, 商业.

该计划是在加利福尼亚州圣何塞举行的年度三星代工论坛 (SFF) 上宣布的，数百名三星代工业务的客户和合作伙伴出席了会议，分享了行业的最新技术趋势。

据韩联社报道，根据该计划，三星将于 2025 年开始大规模生产用于移动应用的 2nm 芯片，2026 年用于高性能计算，2027 年用于汽车。

该公司表示，与 3nm 工艺相比，三星的 2nm 技术性能提高了 12%，能效提高了 25%，面积减少了 5%。

全球最大存储芯片制造商和第二大代工企业三星也表示，1.4纳米芯片将于2027年按计划开始量产。

去年 6 月，这家科技巨头开始大规模生产基于环栅 (GAA) 技术的 3 纳米半导体。在此之前的一个月，

当总统乔·拜登参观三星平泽工厂时，三星向他展示了其 3nm 芯片。平泽工厂是世界上最大的半导体工厂，位于首尔以南约 70 公里处。

当时，三星已表示其2nm工艺节点处于开发早期阶段，计划于2025年实现量产。

这家韩国科技巨头正在与全球最大的代工芯片制造商台湾台积电展开竞争，将最先进、最高效的芯片推向大众市场，并赢得代工客户，而此时芯片对于芯片的功能变得更加重要。高度先进和复杂的技术，包括人工智能。

三星还表示，下半年将在平泽3号线(P3)开始量产手机及其他应用的代工产品，并计划增加产能，泰勒工厂预计年内竣工- 按计划于明年下半年结束并投入运营。