本周早些时候，高通推出了其旗舰智能手机芯片组 Snapdragon 8 Gen 3。它兼容 LPDDR5X DRAM和 LPDDR5T DRAM。虽然三星生产前者，但其韩国竞争对手 SK 海力士生产 LPDDR5T RAM，其速度比三星的 LPDDR5X RAM 更快，现在已经为下一代旗舰智能手机做好了准备。

SK 海力士宣布其 LPDDR5T DRAM 芯片已完成与 Snapdragon 8 Gen 3 兼容性的验证过程。这些芯片早在 2023 年 1 月就已发布，现已准备好用于高端智能手机。它将采用 16GB 封装，最大数据速率为 9.6Gbps，比 LPDDR5X DRAM (8.5Gbps) 快约 12.5%。SK 海力士还声称，其新型存储芯片是同类产品中最节能的，在 JEDEC(联合电子设备工程委员会)规定的仅为 1.01~1.12V 的极低电压下运行。

SK 海力士使用 HKMG(高 K 金属栅极)工艺来提高其 LPDDR5T RAM 芯片的性能和效率。这些芯片的运行电压比 LPDDR5X 低 10%。该公司预计，在新的 LPDDR6 DRAM 标准推出之前，其新芯片将获得显着的市场份额。

高通产品管理高级副总裁 Ziad Asghar 表示：“在我们全新的 Snapdragon 8 Gen 3 上运行的生成式 AI 应用程序通过在设备上以最小的延迟和最低的功耗执行 LLM 和 LVM，实现令人兴奋的新用例。我们与 SK Hynix 的合作将最快的移动内存与我们最新的 Snapdragon 移动平台相结合，并提供令人惊叹的设备上、超个性化的 AI 体验，例如为智能手机用户提供的 AI 虚拟助手。“